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晶體管微縮技術(shù)
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英特爾展示下一代晶體管微縮技術(shù)突破 將用于未來(lái)制程節點(diǎn)
- 2023年12月9日，英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國際電子器件會(huì )議）上展示了多項技術(shù)突破，為其未來(lái)的制程路線(xiàn)圖提供了豐富的創(chuàng )新技術(shù)儲備，充分說(shuō)明了摩爾定律仍在不斷演進(jìn)。具體而言，英特爾研究人員在大會(huì )上展示了結合背面供電和直接背面觸點(diǎn)（direct backside contacts）的3D堆疊CMOS晶體管，分享了近期背面供電研發(fā)突破的擴展路徑（如背面觸點(diǎn)），并率先在同一塊300毫米晶圓上，而非封裝中，成功實(shí)現了硅晶體管與氮化鎵（GaN）晶體管的大規模單片3D集成。 英特爾公
- 關(guān)鍵字： 英特爾 晶體管微縮技術(shù)
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晶體管微縮技術(shù)介紹
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